铠侠推出QLC UFS 4.1闪存：搭载BiCS8 FLASH，用于大容量移动存储
铠侠（Kioxia）宣布，开始出样QLC UFS 4.1闪存，提供了512GB和1TB容量，支持BiCS8 FLASH技术。这是属于嵌入式存储设备的样品，专为读取密集型应用和大容量存储需求设计，相比于传统的TLC UFS闪存提供了更高的位密度，适合需要更高存储容量的移动应用。
SK海力士将负责英伟达大部分HBM4供应：接近70%，高于市场预期
随着新一代Vera Rubin平台进入量产阶段，SK海力士和三星都即将向英伟达供应HBM4。在HBM3和HBM3E时代，SK海力士在英伟达HBM供应链上占据了主导地位，也凭借此优势，在2025年第一季起挤走了三星，成为了DRAM市场的领头羊。
希捷近线硬盘2026年产能已售罄，很快将开始接受2027H1订单
希捷刚刚发布了2026财年第二财季（截至2026年1月2日）的财务报告，显示营收为28.25亿美元，同比增长21.5%，环比增长7.5%，同时毛利率为41.6%，高于去年同期的34.9%，摊薄每股收益为2.60美元，也高于去年同期的1.55美元。希捷预计第三财季的营收为29亿美元，上下浮动1亿美元，超出了27.8亿美元市场的平均预期，乐观的情绪也推动了股价飙升。
三星HBM4已通过最终资格测试，计划下个月开始向英伟达与AMD供货
据TrendForce报道，三星在HBM4方面似乎取得了非常大的进展，预计在下一代DRAM竞争中将重新具备竞争力。有消息人士透露，三星的HBM4已经通过了最终资格测试，计划下个月开始向英伟达与AMD正式发货。这标志着很可能是量产订单，而非仅供测试的样品量。
三星准备新一轮存储器价格上涨：消费端DRAM和NAND闪存涨幅或超50%
很快三星将公布最新一个季度的财务报告，并召开财报电话会议。过去几个月里，存储器价格的大幅上涨大概率将推动三星的业绩增长。有数据显示，三星内存和SSD在过去两个月里，价格已涨至原来的二倍到三倍，而且2026年第一季度预计还会继续上涨。
美光启动新加坡NAND闪存扩建项目：耗资240亿美元，预计2028H2开始投产
随着全球DRAM和NAND闪存需求暴涨，存储器厂商都有扩产的计划，其中三大原厂里，美光（Micron）的态度最为积极。前一段时间，美光与力积电（PSMC）签署独家合作意向书，以18亿美元收购对方位于中国台湾苗栗县铜锣乡的晶圆厂（不含生产相关机器设备），同时协助力积电在新竹P3工厂进一步提升现有DRAM工艺技术，提升DDR4产能。
铠侠称今年NAND闪存售罄，预计2027年趋势持续
据VideoCardz报道，近日铠侠存储器事业部执行董事中户俊介（Shunsuke Nakato）在接受媒体采访时表示，铠侠2026年NAND闪存产能已经全部被客户锁定，预计2027年这种趋势将持续。具体价格取决于每个客户的合同情况，其中部分交易的价格同比上涨了超过30%，随着供需平衡进一步被打破，价格上涨是不可避免的。
三星和SK海力士或削减NAND闪存产量：将产能转向利润更高的DRAM
此前就有报道称，在NAND闪存需求大幅增长的大背景下，三星、SK海力士、铠侠和美光这四家主要NAND闪存制造商在2025下半年都选择减少NAND闪存产量，从而导致了价格的进一步上涨。相比于DRAM市场严重的供需失衡，NAND闪存市场看起来还比较“温和”。
三星加快定制HBM开发：打算在基础裸片引入2nm工艺
AMD和英伟达都将在2026年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM，均为基于HBM4的设计，以提升性能，降低延迟。过去HBM的基础裸片（Base Die）都是使用DRAM工艺制造，不过从HBM4时代开始将转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。
SK海力士正在开发PLC NAND闪存，通过分体式设计达到单元5-bit数据存储
目前市面上的SSD大多使用TLC或者QLC 3D NAND闪存，其实很早之前，制造商就开始讨论五级单元的PLC 3D NAND闪存。SK海力士的子公司Solidigm曾在2022年，展示了全球首款PLC SSD，计划率先用于数据中心。
HBF有望在2027至28年集成到英伟达GPU，2038年前市场规模或超HBM
在今年初举行的投资者日活动上，闪迪介绍了HBF技术，这是其经过带宽优化的NAND产品。闪迪还成立了技术顾问委员会，以指导HBF技术的开发和战略。随后闪迪与SK海力士决定共同制定HBF标准化规范，探索创建高带宽闪存技术生态系统。此外，三星也开始对自己的HBF产品进行早期概念设计工作。
数据中心2026年或消耗70%的DRAM芯片，短缺将蔓延至各个细分市场
过去几个月里，DRAM和NAND闪存出现了越来越严重的供应短缺，价格也在不断飙升，成为了半导体行业里最热门的话题之一。相比于NAND闪存价格稍显缓慢的增长，DRAM的价格是短时间内飙升的，更具有爆炸性。然而这一切还没有结束，或者说不知道将持续多长的时间，但至少在2026年内应该看不到尽头。
三星2026年DRAM产量仅提高5%，远低于客户客户的需求增长
现在全球都面临DRAM短缺的问题，影响的范围越来越大。尽管全球对DRAM的需求仍在在不断增长，不过制造商并没有选择大规模扩张产能，仍然按部就班地建设生产线，预计产能增长有限，远远低于市场需求的增长速度。
SK海力士否认退出消费级业务，表示并没有这方面的考虑
上个月美光（Micron）宣布，决定退出关键消费类存储业务，包括在全球主要零售商、电子零售商和分销商处销售消费级产品，有着29年历史的英睿达品牌将退出历史舞台，让DRAM和NAND闪存业务全面转向高毛利且属性单一的企业市场。近期有消息称，随着存储产品供应变得愈发紧张，SK海力士也选择类似的做法，退出消费级业务。
雷克沙PLAY 2280 PCle 4.0 SSD添散热马甲版：可选4/8TB，售价2499/5499元
雷克沙（Lexar）宣布，为PLAY 2280 PCle 4.0 SSD增添散热马甲版，可选4TB和8TB容量。目前新产品已登陆电商平台，并开始销售了，4TB和8TB版本的定价分别为2499元和5499元，另外厂商提供五年质保。
希捷发布三款32TB CMR硬盘：采用HAMR技术，酷鹰产品售价9999元
希捷宣布，推出三款32TB硬盘，分别属于Exos 银河、SkyHawk 酷鹰 AI、以及IronWolf 酷狼 Pro系列，分别面向企业存储、监控和NAS存储。其中SkyHawk 酷鹰 AI产品已经先行上市，登陆电商平台，并开始销售了，显示价格为9999元。
SK海力士16层堆叠HBM4或继续使用MR-MUF工艺，暂不启用TC NCF技术
去年SK海力士推出了面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。SK海力士沿用了在HBM3E上的Advanced MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠HBM4达到了最大36GB容量。相比之下，竞争对手三星和美光已开始改用TC NCF技术。
Counterpoint预计存储价格会继续上升，2026年Q1/Q2分别上涨40~50%和20%
近日，行业分析机构Counterpoint Research发布了一份内存月度价格追踪报告，称目前存储市场已进入“超级牛市”阶段，市场的行情已经超越了2018年的历史高点，在AI与服务器需求的持续刺激下，供应厂商的议价能力已经达到历史最高水平。机构官方预计2026年Q1/Q2的存储价格将会继续上涨，涨幅分别为40~50%和20%左右。
美光称消费者对厂商存在误解，DRAM短缺问题在2028年之前难以解决
作为主要存储芯片制造商之一，美光（Micron）随着近两年随着AI浪潮的到来，去年12月决定退出关键消费类存储业务，直接让29年历史的英睿达品牌退出历史舞台，让DRAM和NAND闪存业务全面转向高毛利且属性单一的企业市场。不少人认为，美光的做法反映了存储厂商的态度，消极扩产，通过控制产能提高芯片价格，然后将仅有的产能优先配给高利润产品，对当下严重的DRAM供应短缺负有责任。
传惠普寻求长鑫存储加入其供应链：保障DRAM供应，已没有其他选择
此前有报道称，市场上排名第二的PC制造商惠普表示，由于DRAM成本飙升，可能会推高2026年PC的定价，或者迫使其选择削减规格，降低PC的内存配置。前一段时间有传言称，惠普在与韩国DRAM制造商谈判失败后，转向中国的DRAM制造商，高价收购DDR5内存模组，使得现货市场的价格不断上涨。
受英伟达策略调整及规格提升影响，HBM4量产时间延后至2026Q1末
去年有消息称，考虑到Instinct MI450及“Helios”带来的威胁，英伟达向Vera Rubin零部件供应商提出新的要求，希望尽快将HBM4的速度从8Gb/s提高到10Gb/s，相应的带宽也将从2TB/s提升至2.56TB/s。根据新要求，SK海力士、三星和美光都对旗下HBM4进行了调整。
Micron 3610 NVMe SSD发布：美光首款面向客户端的PCIe 5.0 QLC产品
美光（Micron）宣布，推出Micron 3610 NVMe SSD，这是业界首款面向客户端的PCIe 5.0 QLC产品。
CES 2026：群联电子推出新款PCIe 5.0 SSD主控PS5037-E37T
在今年CES 2026上，群联电子发布了全新PCIe 5.0 SSD主控PS5037-E37T，并与多款客户端储存解决方案共同亮相，重新定义用户数据存储体验。同时群联电子还更新了旗舰级的PS5028-E28，已支持8TB大容量，作为专门为高端游戏与工作站等重度应用打造的PCIe 5.0 SSD主控，将持续扩张群联电子的高效能存储市场版图。
长江存储PC41Q耐久度测试中期报告：写入量已到TBW的一半，QLC闪存依旧稳定
我们稍早之前已经测试过长江存储的PC41Q和PC42Q两款采用QLC闪存的商用 M.2 SSD了，就性能而言它们都是相当出色的主流级PCIe 4.0 SSD。它们都拥有相当大容量的SLC Cache，因此在日常使用中完全能够提供接近SLC或TLC SSD的响应速度和写入体验，完全可以作为笔记本电脑的主硬盘。实际上，现在已经有相当多的设备搭载了PC41Q，而PC42Q则是新推出没多久、采用长江存储新一代闪存的产品，相信后续会在更多的笔记本和整机上见到它。
CES 2026：SK海力士16层48GB HBM4首次亮相，并展示SOCAMM2和LPDDR6等
在美国拉斯维加斯举办的CES 2026大展上，SK海力士打造了专属客户展馆，以“AI技术创新赋能可持续未来（Innovative AI，Sustainable Tomorrow）”为主题，集中展示了面向AI的下一代存储器解决方案。
三星和SK海力士打算上调服务器DRAM价格：涨幅或达到60%至70%
英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在CES 2026上确认，所有六款Rubin芯片已从制造合作伙伴处完成交付，并将于2026年内推出。随着英伟达新一代AI服务器的到来，DRAM市场正进入又一次激烈的产能争夺及定价讨论。由于正值DRAM供应短缺时期，价格飙升在所难免。
三星称“没有人能逃脱DRAM短缺”，也将影响电视和其他家用电器
最近DRAM供应短缺已成为了科技行业的主要话题之一，随着时间的推移，造成的负面影响也变得越来越明显。即便是苹果这样的大客户，也在为稳定的DRAM供应而奔波，传闻其高管为了达成新的DRAM长期供应协议，延长了驻留在韩国酒店的时间，争取与三星及SK海力士签下新协议，以满足未来两到三年的DRAM供应。
铠侠发布BG7系列PCIe 4.0 SSD：面向PC OEM市场，以性价比为导向
铠侠（Kioxia）宣布，推出BG7系列PCIe 4.0 SSD，搭载了BiCS8 FLASH 3D闪存芯片，采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术。新产品专为客户端PC设计，在性能、功能和效率之间取得了优异的平衡，适用于商用和消费级笔记本电脑和台式机。
CES 2026：闪迪推出“SANDISK Optimus”品牌，告别西数黑盘和蓝盘
闪迪在CES 2026上宣布，推出“SANDISK Optimus”，作为其消费级SSD新的品牌名称，旨在取代过去西部数据产品线中使用多年的WD_Black和WD_Blue，也就是大家非常熟悉的“黑盘”和“蓝盘”。
SK海力士准备在美国建立首条2.5D封装生产线，或为HBM提供完整配套服务
去年4月，SK海力士宣布将在美国印第安纳州西拉斐特建造适于人工智能（AI）的存储器先进封装生产基地，同时与美国普渡大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作，计划向该项目投资38.7亿美元。随后SK海力士与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），后者将根据《芯片法案》向前者提供4.5亿美元的直接拨款，另外5亿美元的拟议贷款。
英伟达推动AI SSD开发，SK海力士和铠侠都打算采用SLC NAND闪存
此前有报道称，铠侠（Kioxia）与英伟达合作，为AI服务器量身定制SSD，旨在部分取代HBM作为GPU显存的扩展器。铠侠正在根据英伟达提出的要求和建议推进项目的开发，将支持PCIe 7.0标准，预计2026年下半年提供首批样品，2027年推出这款AI SSD。此外，SK海力士也在与英伟达合作开发高性能AI SSD，传闻到2027年的量产版本IOPS将提升至100M。
华为坤灵eKitStor Xtreme 201上市：高耐久度PCIe 4.0 SSD，1TB售价899元
近日，华为推出了坤灵eKitStor Xtreme 201，与之前的坤灵eKitStor Xtreme 200/200E一样，都是PCIe 4.0 SSD。目前新产品已登陆电商平台，暂时仅提供了1TB容量，显示价格为899元，厂商提供五年质保。
华硕官方发表声明：没有投资DRAM制造工厂的计划
最近两天有传言称，一份最新的报告显示，华硕最早会在2026年开始生产DRAM。考虑到最近DRAM价格失控，三大原厂更多地倾向于将产能分配到服务器领域，美光甚至直接退出了消费市场，对PC供应链产生了严重的冲击，加上华硕本身也是PC行业最大的制造商之一，拥有不错的资金和实力，对DRAM有着非常大的需求，似乎也有一些可能。
传华硕明年将进入DRAM制造领域：自己动手丰衣足食？
最近DDR5内存价格失控，对PC供应链产生了严重的冲击，不少厂商都受到了影响，华硕自然也不例外。早在上个月，华硕高管接受了媒体的采访时就表示，如果DRAM和NAND闪存等零部件短缺的情况持续一段时间，可能需要全面提高其PC产品的价格。事实上，本月早些时候就传出消息，将DRAM成本上涨转嫁给消费者已经成为业界共识，华硕打算从2026年1月起提高PC的价格。
铠侠EXCERIA PRO G2/G3系列上市：新款PCIe 5.0 SSD，售价859元起
本月初，铠侠（Kioxia）带来了两款消费级PCIe 5.0 SSD新品，分别为EXCERIA PRO G2和EXCERIA G3，前者为旗舰级PCIe 5.0 SSD，后者则为入门级PCIe 5.0 SSD。目前新产品已登陆电商平台，并开始销售了，另外厂商提供五年质保。
随着DRAM价格飙升，SODIMM转DIMM内存转接卡受到关注
过去几周里，DRAM供应短缺，价格暴涨，所有类型的DRAM都受到了影响。不过具体落实到不同种类和容量，那么价格上涨的程度可就不一样了。台式机使用的DDR4和DDR5内存属于DIMM模块，由于涨幅较大，部分用户就将目光投向了笔记本电脑使用的SODIMM模块。
三星放缓DDR4停产进程，将与特定客户签下长期供应协议
早在今年4月，三星就告知客户，多款1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4即将停产，包括8/16GB的DDR4 SODIMM/UDIMM产品，进入EOL阶段。三星要求客户6月前完成下单，预计10月至12月之间完成出货。不过市场对DDR4的需求仍然很高，从而引发了一波囤积潮，随后三星改变了计划，将DDR4的生产延续到2026年。
随着HBM3E需求提升，三星和SK海力士打算明年涨价20%
近期美国商务部放宽了出口许可，允许英伟达向中国市场销售H200计算卡。与之前的H20相比，H200性能上有明显的优势。即便国内已经有其他解决方案，提供与英伟达接近的机架级产品，但是对CUDA生态系统的依赖性使得已稍微落后的H200仍具有很强的竞争力。与H20配备HBM3不同，H200使用的是HBM3E，也是现在市场上AI加速器采用的主流解决方案。
AMD准备EXPO v1.2：内存超频配置文件将迎来更新
AMD在2022年带来了名为“EXPO（EXTended Profiles for Overclocking）”的DDR5内存超频技术，同时适用于桌面和移动平台，作为对英特尔Alder Lake平台及其XMP 3.0技术的回应。虽然已推出多年，但是Ryzen处理器一直支持的是EXPO v1.0，为每种配置提供最佳超频内存配置文件，不仅提升整体系统性能，更能为连接CCD与IOD的Infinity Fabric架构实现延迟与速度的完美平衡。
DRAM价格飙升推高制造商利润：三星和SK海力士2025Q4毛利率赶超台积电
过去几周里，DRAM供应短缺，价格暴涨，几乎到了消费者和厂商都“负担不起”的程度，这种情况大概率会贯穿整个2026年，一直到2027年。作为DRAM市场的两大巨头，来自韩国的三星和SK海力士占据了超过70%的产量，显然会在这一轮行情中获得丰厚的收益。
由于存储芯片短缺，预计2026年PC的平均售价将上涨8%
其实DRAM和NAND这些存储芯片在2025年之前就进入了涨价周期，只不过今年下半年开始涨幅特别明显，根据市场研究公司IDC 预测，由于目前存储和内存严重短缺影响供应链，预计在乐观的情况下，2026年个人电脑价格整体将上涨4%~6%，而在悲观情况下，涨价幅度将达到6%~8%。
三星正在逆转HBM市场局势：近期凭借HBM3E和HBM4已反超美光
过去几个季度里，三星的HBM业务经历了长时间的低迷。HBM3和HBM3E在争取英伟达资格认证上拖沓太久，使得三星错过了业务增长的黄金期，很大程度影响了其营收表现，甚至丢掉了DRAM市场第一名的位置。为了尽早扭转局面，三星一方面重组内部的组织架构，另一方面加快开发流程，在今年下半年开始逐渐止住了下滑的趋势，并重整旗鼓，以求取得新的突破。
三星推出SOCAMM2内存：基于LPDDR技术，助力下一代AI基础设施
三星宣布，推出SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module）内存模块。这是一款基于LPDDR构建的服务器内存模块，专为AI数据中心设计，已经向客户提供了样品。通过结合LPDDR技术的优势与模块化、可拆卸设计，SOCAMM2实现更高的带宽、更高的能效、以及灵活的系统集成，使AI服务器实现更高的效率和可扩展性。
芝奇官方发布声明：内存采购成本大幅上升，或根据市场情况无预警调价
最近DRAM和NAND闪存的价格因供应短缺快速上涨，特别是DRAM，数月内价格疯狂地涨了数倍。比如16GB的DDR5内存模组价格，从2025年7月的40美元涨至10月时的105美元，到11月原厂停止了合同报价，现货价格一直在飙升，达到了180美元，随着近期惠普以200美元疯狂扫货，使得现货价格继续涨至220美元的高点。
美光将资本支出提高至200亿美元，产能只能满足核心客户最多2/3需求
美光刚刚公布了其2026财年第一财季财报（截至2025年11月27日），季度营收为136.4亿美元，大幅超出了市场129.5亿美元的预期，同比增长达到了56.7%。美光预计2026财年第二财季的营收在187亿美元左右，也远高于143.8亿美元的市场平均预期，将创下新的季度纪录。在半导体存储行业的“超级周期”下，美光展现了强劲的增长势头，交出了一份亮眼的成绩单。
SK海力士大容量内存获英特尔数据中心认证：32Gb单片256GB DDR5 RDIMM
SK海力士宣布，将基于1bnm（第五代10nm级别）工艺的32Gb单片256GB DDR5 RDIMM大容量服务器内存模块应用于英特尔至强6平台（Intel Xeon 6），业界首次通过了英特尔数据中心认证（Intel Data Center Certified），在位于美国的英特尔先进数据中心开发实验室（Advanced Data Center Development Laboratory）完成这一工作。
金士顿NAND闪存短缺预警：未来30天内将变得更加糟糕
作为市场上主要的存储品牌，无论在SSD还是内存上，金士顿都占有非常高的市场份额。近期DRAM和NAND闪存芯片供应短缺，价格飙升，金士顿也是很有发言权。目前SSD市场上流行着两种观点：部分人预测NAND闪存短缺将会有所缓解，另外一些人则认为现在还不是最糟糕的时刻，情况将会恶化。最近金士顿数据中心SSD业务经理Cameron Crandall接受了媒体的采访，显然金士顿更倾向于后面一种观点。
三星和SK海力士已交付HBM4最终样品，与英伟达谈判进入预约合同阶段
据TrendForce报道，随着HBM4竞赛的加速，大家的注意力放在了哪个供应商能够获得英伟达最多订单上，用于下一代Rubin架构数据中心GPU。传闻三星和SK海力士都已经向英伟达交付了HBM4最终样品，这标志着产品已基本达到客户要求，正式进入以商业合作为导向的预约合同阶段。最后的障碍只剩下质量资格认证，预计2026年第一季度将锁定具体价格和订单量。
NAND闪存短缺下谣言四起，三星澄清没有停止生产SATA SSD的计划
供应链上NAND闪存短缺情况日益严重，美光（Micron）最近甚至直接宣布放弃英睿达（Crucial）品牌，2026年2月以后退出消费类存储业务，全面转向高毛利且属性单一的企业市场。传闻三星也可能削减存储产品供应，停止生产SATA SSD，然后将多出的NAND闪存分配给了数据中心客户，只为利润较低的消费市场留下有限的供应，理由其实和美光是一样的。
中美市场需求旺盛推动HDD价格飙升：创下八个季度以来最大涨幅
过去两年里，机械硬盘（HDD）市场相对比较平静，不过随着近期人工智能（AI）热潮再次掀起高潮，存储产品普遍价格上涨，机械硬盘也不能幸免，自加密货币需求后，又一次出现了受压迹象。
- 1锐龙7 9850X3D处理器评测：触及游戏帧率上限，探索巅峰之上的未知领域
- 2七彩虹iGame X870E VULCAN OC开售：火神主板与9850X3D传奇搭档，4599元
- 3酷冷至尊带来GX GOLD 1000电源：双金牌认证，全新压纹线材，首发539元
- 4华硕破晓Ultra轻薄本开启预购：仅1.1kg，搭载Ultra X7 358H，售价16999元
- 5ROG CROSSHAIR X870E DARK HERO主板评测：加量不加价，DARK有好体验
- 6SK海力士公布2025Q4及全年财报：AI加持拉爆业绩，三项指标刷新历史记录
- 72025年OLED显示器面板出货量增长64%，预计2026年增幅保持在50%以上
- 8英伟达将目光投向英特尔：或将18A/14A工艺和EMIB封装加入Feynman供应链
- 9《零～红蝶～REMAKE～》将于3月5日推出试玩Demo，3月12日正式发售