铠侠推出QLC UFS 4.1闪存：搭载BiCS8 FLASH，用于大容量移动存储
相比于铠侠上一代产品（UFS 4.0/BiCS6 QLC FLASH 3D闪存芯片），新款QLC UFS 4.1闪存的顺序写入速度提升了25%，随机读取速度提升了90%，随机写入速度提升了95%。
SK海力士将负责英伟达大部分HBM4供应：接近70%，高于市场预期
随着新一代Vera Rubin平台进入量产阶段，SK海力士和三星都即将向英伟达供应HBM4。在HBM3和HBM3E时代，SK海力士在英伟达HBM供应链上占据了主导地位，也凭借此优势，在2025年第一季起挤走…
希捷近线硬盘2026年产能已售罄，很快将开始接受2027H1订单
希捷刚刚发布了2026财年第二财季（截至2026年1月2日）的财务报告，显示营收为28.25亿美元，同比增长21.5%，环比增长7.5%，同时毛利率为41.6%，高于去年同期的34.9%，摊薄每股收益为2.60美元…
三星HBM4已通过最终资格测试，计划下个月开始向英伟达与AMD供货
有报告显示，三星HBM4的数据传输速率达到了11.7Gb/s，高于英伟达和AMD设定的10Gb/s标准，也远远超过了JEDEC制定的8Gb/s行业标准，成为了目前业界的最高规格。
三星准备新一轮存储器价格上涨：消费端DRAM和NAND闪存涨幅或超50%
很快三星将公布最新一个季度的财务报告，并召开财报电话会议。过去几个月里，存储器价格的大幅上涨大概率将推动三星的业绩增长。有数据显示，三星内存和SSD在过去两个月里，价格已涨至…
美光启动新加坡NAND闪存扩建项目：耗资240亿美元，预计2028H2开始投产
这并非美光在新加坡唯一的扩张计划，更早之前美光已经在这里的同一厂区开始建造高带宽内存（HBM）先进封装设施。美光认为，NAND闪存与DRAM生产之间将有协同效应，将在新厂房的产能提升…
铠侠称今年NAND闪存售罄，预计2027年趋势持续
中户俊介称，即便NAND闪存供应如此紧张，铠侠也基于信任的“君子协定”，没有采取“先到先得”或者“价高者得”的规则来销售。铠侠不会因为订单量大，就随意取消交货日期或者增加产量…
三星和SK海力士或削减NAND闪存产量：将产能转向利润更高的DRAM
自2025年4月起，NAND闪存价格就开始逐步上涨，不知不觉中累计的幅度已经相当大。显然这种涨势进入2026年后并没有结束，预计2026年NAND闪存价格将会保持全年上涨的趋势。
三星加快定制HBM开发：打算在基础裸片引入2nm工艺
AMD和英伟达都将在2026年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM，均为基于HBM4的设计，以提升性能，降低延迟。过去HBM的基础裸片（Base Die）都是使用DRAM工艺制造，不过从HBM4时代开始将…
SK海力士正在开发PLC NAND闪存，通过分体式设计达到单元5-bit数据存储
与QLC NAND闪存相比，PLC NAND闪存每个存储单元存储数据从4-bit增加到了5-bit，电压状态也从2的4次方增加至2的5次方，也就是32种，从而获得25%的容量加成。
HBF有望在2027至28年集成到英伟达GPU，2038年前市场规模或超HBM
金正浩预计，HBF将在HBM6推出时获得更广泛的采用，暗示HBF在2038年前市场规模可能会超过HBM。另外HBM6不会由单一DRAM堆栈组成，而是多个堆栈相互连接。随着DRAM堆叠面临容量限制，金…
数据中心2026年或消耗70%的DRAM芯片，短缺将蔓延至各个细分市场
过去几个月里，DRAM和NAND闪存出现了越来越严重的供应短缺，价格也在不断飙升，成为了半导体行业里最热门的话题之一。相比于NAND闪存价格稍显缓慢的增长，DRAM的价格是短时间内飙升的…
三星2026年DRAM产量仅提高5%，远低于客户客户的需求增长
现在全球都面临DRAM短缺的问题，影响的范围越来越大。尽管全球对DRAM的需求仍在在不断增长，不过制造商并没有选择大规模扩张产能，仍然按部就班地建设生产线，预计产能增长有限，远远…
SK海力士否认退出消费级业务，表示并没有这方面的考虑
事实上，SK海力士的自有品牌存储产品并不显眼，而且DRAM优先级高于NAND闪存。自2023年人工智能（AI）热潮掀起后，SK海力士主要已供应数据中心使用的HBM及企业级SSD产品为主，在消费端…
雷克沙PLAY 2280 PCle 4.0 SSD添散热马甲版：可选4/8TB，售价2499/5499元
雷克沙（Lexar）宣布，为PLAY 2280 PCle 4.0 SSD增添散热马甲版，可选4TB和8TB容量。目前新产品已登陆电商平台，并开始销售了，4TB和8TB版本的定价分别为2499元和5499元，另外厂商提供…
希捷发布三款32TB CMR硬盘：采用HAMR技术，酷鹰产品售价9999元
Exos 银河 32TB搭载Mozaic技术，平均故障间隔时间（MTBF）高达250万小时，专为云和企业环境中的AI和数据密集型应用而设计。SkyHawk 酷鹰 AI 32TB可支持最多64部具备AI功能的高清网络…
SK海力士16层堆叠HBM4或继续使用MR-MUF工艺，暂不启用TC NCF技术
SK海力士的MR-RUF技术是将半导体芯片附着在电路上，使用EMC（液态环氧树脂模塑料）填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙。TC NCF工艺需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。这…
Counterpoint预计存储价格会继续上升，2026年Q1/Q2分别上涨40~50%和20%
Counterpoint Research指出，64GB RDIMM存储的价格已经从2025年Q3的255美元暴涨至Q4的450美元，按照这个势头发展，该容量的存储价格将在2026年3月进一步攀升至700美元，并在年内有可能会…
美光称消费者对厂商存在误解，DRAM短缺问题在2028年之前难以解决
Christopher Moore表示，从美光的角度看，消费者的看法可能并不是完全正确的。恰恰相反，美光正在努力帮助全球消费者，只不过通过不同的渠道方式来做，目前仍然在客户端及移动市场有着相…
传惠普寻求长鑫存储加入其供应链：保障DRAM供应，已没有其他选择
预计长鑫存储2026年的DRAM晶圆产量将提高到每月30万片，而且现在已经有足够能力，大批量生产DDR5。长鑫存储另外一个有利的地方在于，暂时还没有量产HBM，不会像三星、SK海力士和美光那…
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